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武汉新芯50纳米代码型闪存芯片量产,存储单元面

“今朝,在举世NOR Flash存储芯片领域,业界通用技巧为65纳米。武汉新芯新一代50纳米技巧,已贴近亲近此类芯片的物理极限,无论是存储单元面积照样存储密度,均达到国际先辈水平。

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